Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера

Выращивание монокристалла лейкосапфира и рубина по методу Бриджмена-Стокбаргера проводят в тигле, размеры и форма которого определяют размеры и форму будущего кристалла. Затравка устанавливается в нижнюю часть тигля и по степени ее проплавления объективно определяют возможность начала роста кристалла. Требуемый осевой градиент температур определяется как самим тепловым узлом, так и перемещением тигля в холодную зону, что обеспечивает хороший теплоотвод и высокий градиент температур вдоль оси кристалла.

Поскольку выращивание методом Бриджмена-Стокбаргера идет «снизу-вверх», пузыри и примеси оттесняются фронтом кристаллизации от кристалла, что позволяет выращивать кристаллы на более высокой скорости с меньшим количеством точечных дефектов и скоплений пузырей.

Тигель с кристаллом можно вращать с частотой 5…30 об/мин. Вращение позволяет выровнять тепловые условия в тигле, а примеси и пузырьки оттесняются к стенкам тигля центробежными силами.

Для выращивания рубинов необходимо подготовить сырьё. Для этого порошок Al₂O₃ тщательно перемешиваются легирующей добавкой Cr₂O₃. Затем полученную смесь прессуют в таблетки диаметр 5…10 мм на автомате для таблетирования. Это оборудование можно заказать вместе с установкой.

Установки оснащаются системой управления, которая в автоматическом режиме проводит весь процесс, включая затравление.
В ООО «НПО «ГКМП» можно заказать установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера.

Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.

Преимущества установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера производства ООО "НПО "ГКМП"

• Выращивание по любой кристаллографической оси, в том числе по оси С (0001).
• Процесс проводится в автомате, включая затравление.
• Не требуются телекамеры, пирометры или термопары.
• Не требуется персонал высокой квалификации.
• Печь требует к себе внимания только на стадии обслуживания: выгрузка кристалла, чистка печи, загрузка сырья.

Свойства	Значение
Диаметр кристалла, мм	160
Длина кристалла, мм	250
Масса кристалла, мм	24
Диаметр внутренний камеры, мм	800
Высота камеры, мм	1100
Предельный вакуум в камере, торр	5*10-5
Избыточное давление газа (Ar, N2, CO2) в камере, не более, кгс/см2	1.0
Скорость перемещения (датчик расплава), мм/мин	50
Ход (датчик расплава), мм	720
Тигель. Скорость перемещения (рабочая), мм/час	0.1…10(±1%)
Тигель. Скорость перемещения (ускоренная), мм/мин	50
Тигель. Ход, мм	400
Тигель. Скорость вращения, об/мин	1…30(±1%)
Тигель. Максимальная нагрузка на шток, кг	300
Температура на нагревателе (рабочая), ºС	2200
Материал нагревателя	Вольфрам
Вакуум рабочий в камере, торр	1.0*10-5
Вакуум. Скорость откачки ТМН (по азоту), л/сек	700
Вакуум. Скорость откачки форнасосом, м3/час	1.0*10-5
Избыточное давление газа (Ar, N2, СО2) в камере, не более кгс/см2	1.0
Расход газа (Ar, N2, СО2),н.л/мин	1…100
Охлаждение. Давление воды на входной магистрали, кгс/см2	2...3
Охлаждение. Расход воды (общий), м3/час	4...6
Питание силовой части и шкафа управления	3*(380±38)
Частота питающей сети, Гц	50/60
Установленная мощность, кВт	63
Номинальная мощность на нагревателе, кВт	45
Напряжение питания нагревателя, В	0-14
Управление. Точность поддержания мощности, %	±0.1
Мощность шкафа управления, кВт не более	7
Высота, мм	5000
Длина, мм	3000
Ширина, мм	2000
Масса, не более, кг	3000
Масса, не более, кг	500