Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ

Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским в 1916 году. Выращивание монокристаллов кремния производится в кварцевых тиглях большого диаметра (от 20 до 42 дюймов) путем вытягивания вверх монокристалла из расплава. В начале процесса в контакт с расплавом вводится ориентированная затравка, от которой начинается постепенный рост кристалла.

ООО «НПО «ГКМП» предлагает Заказчику различные варианты компоновки установок: камера кристалла - с дверью или «труба», главный затвор - щелевой или «хлопушка» в любых сочетаниях.

Для выращивания полупроводниковых монокристаллов кремния с особыми свойствами, возможно применение магнита, подавляющего конвекцию расплава.

Для повышения скорости роста монокристалла мы предлагаем установку водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Применение водоохлаждаемого колодца позволяет повысить скорость роста кристалла в 1,5-2 раза и улучшить некоторые важные характеристики.

Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере.При необходимости контроля температуры нагревателя и/или расплава устанавливаются пирометры.

Главный насос – вакуумный агрегат, включающий в себя насос Рутса и пластинчато-роторный насос, выполнен в одном корпусе, включая блок управления. Для поддержания требуемого давления в рабочей камере при постоянном потоке газа, вакуумный агрегат регулирует скорость откачки изменяя частоту вращения.Перед вакуумным агрегатом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.

Все этапы выращивания кристалла: от проверки натекания до охлаждения кристалла полностью автоматизированы.

На сегодняшний день российская полупроводниковая промышленность в основном использует монокристаллы кремния диаметром 3, 4, 6 и 8 дюймов. В перспективе планируется переход на кристаллы 12 дюймов. ООО «НПО» ГКМП» может изготовить установки для выращивания монокристаллов кремния под любой диаметр кристалла.

Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.

Преимущества установок для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ производства ООО "НПО "ГКМП"

• Возможностьустановки магнита, подавляющего конвекцию расплава для выращивания полупроводниковых кристаллов.
• Установка водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Для эффективного поглощения теплоты от кристалла применяется специальное покрытие колодца.
• Полностью автоматизированный процесс, включая затравление.
• Перед насосом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.
• Исполнения для «солнечного» и полупроводникового кремния.