Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским в 1916 году. Выращивание монокристаллов кремния производится в кварцевых тиглях большого диаметра (от 20 до 42 дюймов) путем вытягивания вверх монокристалла из расплава. В начале процесса в контакт с расплавом вводится ориентированная затравка, от которой начинается постепенный рост кристалла.
ООО «НПО «ГКМП» предлагает Заказчику различные варианты компоновки установок: камера кристалла - с дверью или «труба», главный затвор - щелевой или «хлопушка» в любых сочетаниях.
Для выращивания полупроводниковых монокристаллов кремния с особыми свойствами, возможно применение магнита, подавляющего конвекцию расплава.
Для повышения скорости роста монокристалла мы предлагаем установку водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Применение водоохлаждаемого колодца позволяет повысить скорость роста кристалла в 1,5-2 раза и улучшить некоторые важные характеристики.
Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере.При необходимости контроля температуры нагревателя и/или расплава устанавливаются пирометры.
Главный насос – вакуумный агрегат, включающий в себя насос Рутса и пластинчато-роторный насос, выполнен в одном корпусе, включая блок управления. Для поддержания требуемого давления в рабочей камере при постоянном потоке газа, вакуумный агрегат регулирует скорость откачки изменяя частоту вращения.Перед вакуумным агрегатом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.
Все этапы выращивания кристалла: от проверки натекания до охлаждения кристалла полностью автоматизированы.
На сегодняшний день российская полупроводниковая промышленность в основном использует монокристаллы кремния диаметром 3, 4, 6 и 8 дюймов. В перспективе планируется переход на кристаллы 12 дюймов. ООО «НПО» ГКМП» может изготовить установки для выращивания монокристаллов кремния под любой диаметр кристалла.
Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.
Преимущества установок для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ производства ООО "НПО "ГКМП"
- Возможностьустановки магнита, подавляющего конвекцию расплава для выращивания полупроводниковых кристаллов.
- Установка водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Для эффективного поглощения теплоты от кристалла применяется специальное покрытие колодца.
- Полностью автоматизированный процесс, включая затравление.
- Перед насосом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.
- Исполнения для «солнечного» и полупроводникового кремния.
Свойство | Значение |
---|---|
Диаметр кристалла, мм, не более |
300 |
Длина кристалла, мм, не более |
3200 |
Диаметр тигля, дюйм, не более |
32 |
Загрузка тигля, кг, не более |
450 |
Скорость перемещения затравки, мм/мин, ростовая |
0.1-30 |
Скорость перемещения затравки, мм/мин, установочная |
600 |
Частота вращения затравки, об/мин, не более |
25 |
Погрешность поддержания скорости перемещения и частоты вращения затравки, % |
± 0.1 |
Рабочий ход тигля, мм |
450 |
Скорость перемещения тигля, мм/мин |
0.01-50 |
Частота вращения тигля, об/мин, не более |
25 |
Предельное остаточное давление, мм.рт.ст. (вакуум) |
7.5 •10-4 |
Расход охлаждающей воды, м3/ч, не более |
16 |
Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее |
0.2 |
Расход аргона, л/мин, не более |
60 |
Автоматизированная система управления |
Есть |
Адаптивная система контроля диаметра кристалла |
Есть |
Автоматическое затравление |
Есть |
Питание: напряжение,В частота, Гц |
трехфазное 380/220 50 |
Максимальная мощность основного нагревателя, кВА, не более |
180 |
Максимальная мощность донного нагревателя, кВА, не более |
90 |
Диаметр * Высота ростовой камеры, мм |
1200 * 1490 |
Диаметр * Высота камеры кристалла, мм |
400 * 3600 |
Масса, кг |
Ростовой модуль 7500 |
Габаритные размеры, мм |
4400*3950*9500 (10700 при разгрузке) |
Получить каталог
Почему мы?
- О компании
-
Продукция
-
Вакуумная техника и оборудование специального назначения
- Вакуумные затворы
- Компрессор мембранный
- Вакуумный стенд для отработки мощных импульсных водородных плазменных двигателей
- Стенд термовакуумных испытаний СТВИ
- Термовакуумная камера ТБК-110
- Установка электронно-лучевой плавки/рафинирования тугоплавких металлов (ниобия Nb, тантала Ta)
- Токамак Т-15МД
- Стенды для испытаний порт-плагов (Port Plug Test Facility, PPTF) ИТЭР
- Установка карботермического синтеза (УКТС)
- Крупногабаритная вакуумная шахтная печь сопротивления
- Сверхвысоковакуумная камера прямоугольной формы для фундаментальных исследований
- Криовакуумная установка ВУ-180
- Камера вакуумная с системой перемещения образцов
- Стенд для испытаний мощных плазменных двигателей
- Газоразрядная камера СТИС-1С
- Вакуумная камера ПС-45
-
Промышленное термическое оборудование
-
Вакуумные печи
-
Электропечи сопротивления проходного типа
-
Печи сопротивления периодического действия
- Печи сопротивления периодического действия с поднимающимся колпаком и стационарными нагревателями
- Печи сопротивления периодического действия с поднимающимися колпаками и подвижным нагревательным блоком
- Печи сопротивления периодического действия с опускающимся подом
- Печи сопротивления периодического действия с опускающимся подом малогабаритные
- Печи сопротивления периодического действия шахтные и камерные печи
-
Термодиффузионные и термокомпрессионные печи
-
-
Оборудование для выращивания кристаллов
- Оборудование для ВУЗов и НИИ
- Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
- Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)
- Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
- Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллизации
- Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
- Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральского CZ
-
Магнитные катушки
-
Изделия из тугоплавких материалов и сплавов
-
Изделия из вольфрама
-
Изделия из молибдена
-
Изделия из высокотемпературной керамики
- Изделия из керамики на основе карбида кремния (SiC)
- Изделия из керамики на основе диоксида циркония (ZrO2)
- Изделия из керамики на основе оксида алюминия (Al2O3)
- Изделия из керамики на основе ZTA
- Изделия из керамики на основе нитрида бора (BN)
- Изделия из керамики на основе нитрида бора пиролитического (p-BN)
-
- Металлорукава
- Дорожно-строительная техника
-
-
Услуги
- Новости
- Вакансии
- Документы
- Контакты