Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)

Метод LEC является одним из основных в производстве монокристаллов GaAs и InAs. Для подавления миграции компонентов, расплава находится под слоем легкоплавкого флюса, плотность которого меньше плотности расплава. Дополнительно создается избыточное давление аргона.

Для создания требуемого теплового поля и управления градиентами температур в установке предусмотрено три нагревателя. Основной и донный нагреватели неподвижные, а верхний (фоновый) нагреватель оснащён приводом перемещения.

Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере. Для контроля массы растущего кристалла установлен датчик веса. При необходимости контроля температуры нагревателей и/или расплава могут устанавливаться пирометры.

В установке предусмотрена герметичная система отвода газов из камеры перед каждым ее открытием. Вакуумная камера рассчитана на вакуум и избыточное давление до 10 атм, что в совокупности с жидкостной герметизацией расплава позволяет выращивать монокристаллы арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs) с минимальной диффузией исходных компонентов.

Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.

Преимущества установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs) производства ООО "НПО "ГКМП"

• Независимое управление нагревателями по мощности и температуре.
• Автоматический сброс (стравливание) газа из камеры в вентиляционную систему, при росте давления выше рабочего (10 кгс/см2). В системе предусмотрена разрывная мембрана, на случай резкого повышения давления в камере.
• Рабочее давление до 10 атм.
• Герметичная система отвода газов из камеры перед каждым ее открытием.