Ростовое оборудование Ростовое оборудование

Ростовое оборудование

Производство установок для выращивания кристаллов лейкосапфира, осуществляющих выращивание кристалла методами горизонтально направленной кристаллизации и методом Киропулоса, позволяющие получать кристалл лейкосапфира массой до 30 кг.


Установка для выращивания кристаллов кремния методом Чохральского, позволяющая получать кристалл кремния диаметром до 250 мм общей длиной до 1600 мм. А так же установки выращивания монокристаллов антимонида индия, и арсенида индия и галия

В каталог
Изготовление по индивидуальным проектам ростового оборудования для Вашего производства
Обучение персонала Заказчика
Запуск в эксплуатацию, шеф-монтаж и пусконаладочные работы
Ремонт, обслуживание и модернизация действующего ростового оборудования
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся техническая простота процесса и возможность выращивания кристаллов больших размеров (>500 кг) с низкой плотностью дислокаций.
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)
Оборудование для ВУЗов и НИИ
Для обучения студентов и проведения научных исследований требуются компактные установки небольших размеров и мощности. Такие установки легко помещаются в любых лабораториях.
Оборудование для ВУЗов и НИИ
Оборудование для ВУЗов и НИИ
Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любойкристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма которого определяют размеры и форму будущего кристалла. Методом Бриджмена-Стокбаргера выращивают кристаллы по любой кристаллографической оси, что позволяет существенно увеличить выход годного продукта и снизить затраты на последующую обработку.
Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборудованы видеосистемой контроля диаметра растущего кристалла.
Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллизации
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижимых при использовании других ростовых методов.
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллизации
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллизации
Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC).
Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральского CZ

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральского CZ
Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральского CZ
Сферы и области применения:
Силовая электроника (PFC (Power Factor Converter), Инверторы и конверторы для гибридных технологий, Инверторы для солнечной энергетики)
Высокочастотная электроника
Оптоэлектронные приборы
Микроэлектроника
Производство оптики
СВЧ-микроэлектроника
Получите консультацию нашего инженера
Подробно расскажем о наших производственных возможностях, подготовим индивидуальное предложение для предприятий малой, средней и крупной промышленности, наукоемких производств, исследовательских институтов и лабораторий. Подбираем решения под любой уровень бюджета!
Подбираем решения под любой уровень бюджета!
Заказать обратный звонок
Подробно расскажем о наших товарах, видах и стоимости доставки, подготовим индивидуальное предложение для оптовых клиентов!
Заказ продукции/услуги/консультации
Заказать обратный звонок
Подробно расскажем о наших товарах, видах и стоимости доставки, подготовим индивидуальное предложение для оптовых клиентов!