Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Si

Описание Характеристики

Назначение: Предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов кремния диаметром до 250 мм общей длиной до 1600 мм методом Чохральского из тигля ø 508 мм.

Заказать

Наименование параметра	Значение
Наименование параметра	Значение
Диаметр кристалла, мм, не более	250
Длина кристалла, мм, не более	1600
Скорость перемещения затравки, мм/мин	0,1 - 8,0
Частота вращения затравки, об/мин	1,0- 30,0
Погрешность поддержания скорости перемещения и частоты вращения затравки, %	> ±1
Рабочий ход тигля, мм	400
Скорость перемещения тигля, мм/мин	0,01- 2,0
Частота вращения тигля, об/мин	1,0- 20,0
Диаметр тигля, мм	508
Предельное остаточное давление, мм рт.ст.	5х10^-3
Максимальная скорость откачки, л/с	150
Расход охлаждающей воды, м3/ч	10
Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее	0,3
Расход аргона, л/ч, не более	3600
Рекомендуемое давление на входе в газовую систему, М	0,25
Рекомендуемое давление сжатого воздуха, МПа	0,6
Расход сжатого воздуха на процесс, м³, не более	0,1
Питание: напряжение,В частота, Гц	3х380+N 50
Максимальная мощность на нагревателе, кВА	150
Напряжение питания нагревателя , В	0 - 60
Габаритные размеры, мм	4000х2700х6200
Масса, кг	6000

Документы

Сертификаты Справочная информация СМК Раскрытие информации

Сертификат Соответствия на Гильзы защитные

Санитарно-эпидемиологическое заключение на использование источников ионизирующего излучения

Санитарно-эпидемиологическое заключение на использование источников ионизирующего излучения стр. 2

Si

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Документы

Заказ продукциц/услуги

Спасибо!

Обратная связь