Установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галия

Эти кристаллы обладают рядом уникальных свойств, таких как высокая подвижность электронов, низкая эффективная масса и высокая теплопроводность.

Процесс выращивания монокристаллов InGaAs начинается с создания расплава, который состоит из смеси индия, галлия и мышьяка. Этот расплав затем нагревается до температуры, при которой он становится жидким, и помещается в специальную установку, которая называется ростовой камерой. Внутри ростовой камеры находится затравка - небольшой кусочек кристалла, который будет расти.

Затем затравка опускается в расплав, и начинается процесс роста кристалла. Для этого ростовая камера подвергается контролируемому охлаждению, что приводит к кристаллизации расплава на затравочном кристалле. Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будет получен кристалл нужного размера.

После выращивания кристалл извлекается из ростовой камеры и подвергается обработке, чтобы удалить примеси и улучшить его свойства. Затем кристалл может быть использован для создания различных устройств, таких как лазеры, фотодетекторы и другие приборы.