Главная Продукция Оборудование для выращивания кристаллов Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ

Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборудованы видеосистемой контроля диаметра растущего кристалла.

Подробнее

*Под заказ

Подробно расскажем о наших товарах, видах и стоимости доставки, подготовим индивидуальное предложение и разработаем ТЗ

Оформить заказ Получить консультацию

Описание

Характеристики

Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским в 1916 году. Выращивание монокристаллов кремния производится в кварцевых тиглях большого диаметра (от 20 до 42 дюймов) путем вытягивания вверх монокристалла из расплава. В начале процесса в контакт с расплавом вводится ориентированная затравка, от которой начинается постепенный рост кристалла.

ООО «НПО «ГКМП» предлагает Заказчику различные варианты компоновки установок: камера кристалла - с дверью или «труба», главный затвор - щелевой или «хлопушка» в любых сочетаниях.

Для выращивания полупроводниковых монокристаллов кремния с особыми свойствами, возможно применение магнита, подавляющего конвекцию расплава.

Для повышения скорости роста монокристалла мы предлагаем установку водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Применение водоохлаждаемого колодца позволяет повысить скорость роста кристалла в 1,5-2 раза и улучшить некоторые важные характеристики.

Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере.При необходимости контроля температуры нагревателя и/или расплава устанавливаются пирометры.

Главный насос – вакуумный агрегат, включающий в себя насос Рутса и пластинчато-роторный насос, выполнен в одном корпусе, включая блок управления. Для поддержания требуемого давления в рабочей камере при постоянном потоке газа, вакуумный агрегат регулирует скорость откачки изменяя частоту вращения.Перед вакуумным агрегатом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.

Все этапы выращивания кристалла: от проверки натекания до охлаждения кристалла полностью автоматизированы.

На сегодняшний день российская полупроводниковая промышленность в основном использует монокристаллы кремния диаметром 3, 4, 6 и 8 дюймов. В перспективе планируется переход на кристаллы 12 дюймов. ООО «НПО» ГКМП» может изготовить установки для выращивания монокристаллов кремния под любой диаметр кристалла.

Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.

Преимущества установок для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ производства ООО "НПО "ГКМП"

Возможностьустановки магнита, подавляющего конвекцию расплава для выращивания полупроводниковых кристаллов.
Установка водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Для эффективного поглощения теплоты от кристалла применяется специальное покрытие колодца.
Полностью автоматизированный процесс, включая затравление.
Перед насосом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.
Исполнения для «солнечного» и полупроводникового кремния.

Свойство	Значение
Диаметр кристалла, мм, не более	300
Длина кристалла, мм, не более	3200
Диаметр тигля, дюйм, не более	32
Загрузка тигля, кг, не более	450
Скорость перемещения затравки, мм/мин, ростовая	0.1-30
Скорость перемещения затравки, мм/мин, установочная	600
Частота вращения затравки, об/мин, не более	25
Погрешность поддержания скорости перемещения и частоты вращения затравки, %	± 0.1
Рабочий ход тигля, мм	450
Скорость перемещения тигля, мм/мин	0.01-50
Частота вращения тигля, об/мин, не более	25
Предельное остаточное давление, мм.рт.ст. (вакуум)	7.5 •10^-4
Расход охлаждающей воды, м³/ч, не более	16
Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее	0.2
Расход аргона, л/мин, не более	60
Автоматизированная система управления	Есть
Адаптивная система контроля диаметра кристалла	Есть
Автоматическое затравление	Есть
Питание: напряжение,В частота, Гц	трехфазное 380/220 50
Максимальная мощность основного нагревателя, кВА, не более	180
Максимальная мощность донного нагревателя, кВА, не более	90
Диаметр * Высота ростовой камеры, мм	1200 * 1490
Диаметр * Высота камеры кристалла, мм	400 * 3600
Масса, кг	Ростовой модуль 7500
Габаритные размеры, мм	440039509500 (10700 при разгрузке)

Получить каталог

Оставьте ваш номер и наш инженер свяжестся с вами

Почему мы?

Единичное производство «под заказ». Разрабатываем и производим оборудование по техническому заданию заказчика и соответствующее техническим нормам и требованиям.

Широкий ассортимент продукции. Благодаря многолетнему опыту и налаженному сотрудничеству с предприятиями, мы регулярно расширяем спектр решенных задач.

Полный спектр услуг. Мы не только производим оборудование, но и предоставляем дополнительные услуги: от пуско-наладочных работ до последующего сервисного обслуживания.

Высокое качество. Работаем только с качественным сырьем, соблюдаем установленные технологии.

Квалифицированный персонал. Опытные специалисты выполнят заказ любой сложности.

Доступный ценовой сегмент. Стоимость рассчитывается в зависимости от требований, указанных в техническом задании.