Главная Продукция Ростовое оборудование Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Это один из наиболее распространенных методов выращивания монокристаллов кремния для полупроводниковой промышленности.

Подробнее

*Под заказ

Подробно расскажем о наших товарах, видах и стоимости доставки, подготовим индивидуальное предложение и разработаем ТЗ

Оформить заказ Получить консультацию

Описание

Характеристики

ООО "НПО "ГКМП" предлагает установки для выращивания монокристалла кремния по методу Чохральского. Это один из наиболее распространенных методов выращивания монокристаллов кремния для полупроводниковой промышленности. Этот метод был разработан в 1958 году польским ученым Яном Чохральским.

Суть метода заключается в том, что расплавленный кремний поднимается по стержню из тигля и кристаллизуется на его поверхности. Таким образом, получается монокристаллический слиток кремния.

Метод Чохральского позволяет получать монокристаллы кремния высокого качества с точностью размеров до нескольких микрон. Это делает его очень востребованным в полупроводниковой промышленности для производства интегральных схем и других устройств.

Установка для выращивания кристалла кремния методом Чохральского производства ООО «НПО «ГКМП» предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов кремния диаметром до 250 мм и общей длиной до 1600 мм методом Чохральского из тигля ø 508 мм.

Свойство	Значение
Диаметр кристалла, мм, не более	250
Длина кристалла, мм, не более	1600
Скорость перемещения затравки, мм/мин	0.1 - 8.0
Частота вращения затравки, об/мин	1.0- 30.0
Погрешность поддержания скорости перемещения и частоты вращения затравки, %	> ±1
Рабочий ход тигля, мм	400
Скорость перемещения тигля, мм/мин	0.01- 2.0
Частота вращения тигля, об/мин	1.0- 20.0
Диаметр тигля, мм	508
Предельное остаточное давление, мм рт.ст.	5*10^-3
Максимальная скорость откачки, л/с	150
Расход охлаждающей воды, м3/ч	10
Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее	0,3
Расход аргона, л/ч, не более	3600
Рекомендуемое давление на входе в газовую систему, М	0,25
Рекомендуемое давление сжатого воздуха, МПа	0.6
Расход сжатого воздуха на процесс, м³, не более	0.1
Питание: напряжение,В частота, Гц	3*380+N 50
Максимальная мощность на нагревателе, кВА	150
Напряжение питания нагревателя , В	0 - 60
Габаритные размеры, мм	400027006200
Масса, кг	6000

Получить каталог

Оставьте ваш номер и наш инженер свяжестся с вами

Почему мы?

Единичное производство «под заказ». Разрабатываем и производим оборудование по техническому заданию заказчика и соответствующее техническим нормам и требованиям.

Широкий ассортимент продукции. Благодаря многолетнему опыту и налаженному сотрудничеству с предприятиями, мы регулярно расширяем спектр решенных задач.

Полный спектр услуг. Мы не только производим оборудование, но и предоставляем дополнительные услуги: от пуско-наладочных работ до последующего сервисного обслуживания.

Высокое качество. Работаем только с качественным сырьем, соблюдаем установленные технологии.

Квалифицированный персонал. Опытные специалисты выполнят заказ любой сложности.

Доступный ценовой сегмент. Стоимость рассчитывается в зависимости от требований, указанных в техническом задании.

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Получить каталог

Почему мы?

Заказ продукции/услуги

Спасибо!

Уважаемые клиенты!