Изделия из керамики на основе нитрида бора (BN)
Нитрид бора: ГЕКСОГОНАЛЬНЫЙ (α) — h-BN, (белый графит, похожий на тальк порошок, имеет гексагональную графитоподобную кристаллическую структуру и обладает полупроводниковыми свойствами).
РАСЧЕТ КП ТОЛЬКО ДЛЯ КРУПНОСЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА
Одной из важнейших характеристик нитрида бора является то, что это вещество придает любому изделию термостойкость, плотность и стабильность. Нитрид бора нашел широкое применение в сфере тяжелой и химической промышленности.
Керамика на основе нитрида бора нашла широкое применение в авиастроении и ракетной технике, в машиностроении и стекольной промышленности, в химической промышленности, энергетике и металлургии. В производстве высокотемпературной техники все чаще применяются тигли, изоляторы и электровакуумные приспособления на основе нитрида бора.
Уникальная комбинация исключительных тепловых, физических и химических характеристик керамики на основе нитрида бора делает ее идеальным материалом для решения сложных задач и достижения широкого спектра промышленных целей.
Характеристики Нитрид бора (ГЕКСОГОНАЛЬНЫЙ (α)):
- Термостойкость
- Нетоксичность
- Химическая инертность
- Высокая диэлектрическая прочность
- Низкая диэлектрическая проницаемость
Области применения:
- Тигли, изоляторы и высокотемпературная керамика;
- Высокотемпературные смазочные материалы;
- Синтез сверхтвердых веществ;
- Электровакуумное и полупроводниковое приборостроение.
Нитрид бора гексагональный горячепрессованный (BN)
Состав | BN˃99% | BN˃98% | BN+SiC+ZrO2 | BN+AlN |
---|---|---|---|---|
Связующее вещество | самосвязующее | B2O3 | AlBO3 | AlBO3 |
Плотность, г/см3 | 1.9-2.0 | 2.1-2.2 | 2.3-3.0 | 2.5-2.6 |
Удельное сопротивление (при 25°C), Ω/см | >1014 | ˃1013 | ˃1012 | ˃1014 |
Максимальная температура эксплуатации, Окисляющая среда, °С | 900 | 900 | 900 | 900 |
Максимальная температура эксплуатации, Инертный газ, °С | 2300 | 2000 | 1700 | 1700 |
Максимальная температура эксплуатации, Высокий вакуум, °С | 1800 | 1800 | 1700 | 1700 |
Прочность на изгиб, МПа | 25 | 75 | 100 | 130 |
Прочность на сжатие, МПа | 100 | 100 | 300 | 250 |
Коэффициент термического расширения 25-1000°C, 10-6/K | 0-2 | 2.0 | 4.0 | 4.5 |
Теплопроводность, В/мK | 50 | 30 | 40 | 60 |
Получить каталог
Почему мы?
- О компании
-
Продукция
-
Вакуумная техника и оборудование специального назначения
- Вакуумные затворы
- Компрессор мембранный
- Вакуумный стенд для отработки мощных импульсных водородных плазменных двигателей
- Стенд термовакуумных испытаний СТВИ
- Термовакуумная камера ТБК-110
- Установка электронно-лучевой плавки/рафинирования тугоплавких металлов (ниобия Nb, тантала Ta)
- Токамак Т-15МД
- Стенды для испытаний порт-плагов (Port Plug Test Facility, PPTF) ИТЭР
- Установка карботермического синтеза (УКТС)
- Крупногабаритная вакуумная шахтная печь сопротивления
- Сверхвысоковакуумная камера прямоугольной формы для фундаментальных исследований
- Криовакуумная установка ВУ-180
- Камера вакуумная с системой перемещения образцов
- Стенд для испытаний мощных плазменных двигателей
- Газоразрядная камера СТИС-1С
- Вакуумная камера ПС-45
-
Промышленное термическое оборудование
-
Вакуумные печи
-
Электропечи сопротивления проходного типа
-
Печи сопротивления периодического действия
- Печи сопротивления периодического действия с поднимающимся колпаком и стационарными нагревателями
- Печи сопротивления периодического действия с поднимающимися колпаками и подвижным нагревательным блоком
- Печи сопротивления периодического действия с опускающимся подом
- Печи сопротивления периодического действия с опускающимся подом малогабаритные
- Печи сопротивления периодического действия шахтные и камерные печи
-
Термодиффузионные и термокомпрессионные печи
-
Установки вакуумного напыления
-
-
Оборудование для выращивания кристаллов
- Оборудование для ВУЗов и НИИ
- Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
- Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)
- Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
- Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллизации
- Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
- Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральского CZ
-
Магнитные катушки
-
Изделия из тугоплавких материалов и сплавов
-
Изделия из вольфрама
-
Изделия из молибдена
-
Изделия из высокотемпературной керамики
- Изделия из керамики на основе карбида кремния (SiC)
- Изделия из керамики на основе диоксида циркония (ZrO2)
- Изделия из керамики на основе оксида алюминия (Al2O3)
- Изделия из керамики на основе ZTA
- Изделия из керамики на основе нитрида бора (BN)
- Изделия из керамики на основе нитрида бора пиролитического (p-BN)
-
- Металлорукава
- Дорожно-строительная техника
-
-
Услуги
- Новости
- Вакансии
- Документы
- Контакты