Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса

Al2O3

Описание Характеристики

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса

Микроэлектроника
Оптоэлектроника
Оветодиоды, медицина
R-axis, A-axis конфигурации
2,4,5,6,8-дюймовые цилиндры
Оптимизированная программа нарезки цилиндров
Высокая скорость роста кристалла- 83kg буль- за 15 дней

Мы достигли 55% использования 83 кг буля для раскроя годных заготовок 2” и 6” дюймовых цилиндров
Общая длина для 2” заготовок 5345мм
Годовой общий валовый выпуск 2” цилиндров ( TIE) может достигать 100 000 мм)

Заказать

Наименование параметра	Значение
Наименование параметра	Значение
Вес выращиваемого кристалла, кг	до 85
Параметры тигля, мм: наружный диаметр высота	400 250
Материал тигля	вольфрам
Способ нагрева	резистивный
Материал нагревателя	вольфрам
Рабочее давление в камере, мм рт.ст.	5х10^-5
Мощность, потребляемая при выращивании кристалла, кВт, не более (управление мощностью в соответствии с программой)	45
Расход охлаждающей воды, м3/ч, не более	3
Давление охлаждающей воды, Мпа	0,3
Расход воздуха давлением 0,3 МПа, м³/цикл	0,01
Габаритные размеры, мм	3200х2200х2050
Приводная система:
-рабочий ход штока затравки, мм	250
-рабочая скорость перемещения затравки, мм/ч	0,1 - 10
-частота вращения затравки, об/мин	0,1 - 20
-погрешность поддержания рабочей скорости перемещения и частоты вращения затравки, %	±1
Параметры электропитания: напряжение, В частота, Гц	3х(380±38) +N 50±0,4

Al2O3

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса

Документы

Заказ продукциц/услуги

Спасибо!

Обратная связь