Установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галия

Онлайн заявка Ростовое оборудование

INAS и GAAS

INAS и GAAS

Описание Характеристики

Установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галия предназначены для плавления, синтезирования и выращивания монокристаллов арсенида индия и галия под давлением инертного газа с последующим отжигом выращенного кристалла.

Установка для выращивания монокристаллов арсенида индия INAS и галия GAAS

Наименование параметра	Значение
Наименование параметра	Значение
Максимальные размеры тигля, мм: диаметр высота	230 200
Способ нагрева	резистивный
Материал нагревателя	графит
	графит
Высота нагревателя, мм	400
Максимальная температура,˚С на нагревателе	1400
Точность регулирования температуры,˚С	0,1
Среда в камере печи: предельный вакуум, мм.рт.ст. избыточное давление инертного газа, атм.	1*10^-4 10 - 20
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин	0 - 30
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/мин	0 - 0,5
Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин	100
Привод перемещения тигля:
Скорость перемещения привода нижнего штока, рабочая, мм/мин	0 - 0,5
Скорость вращения привода тигля, об/мин	0 - 20
Скорость ускоренного перемещения привода нижнего штока, мм/мин	70
Верхняя зона:
Температура нагревателя верхней зоны, ˚С	1200
Потребляемая мощность нагревателем верхней зоны, кВт	20
Точность поддержания температуры	±0,1
Средняя зона:
Температура на нагревателе, ˚С	1400
Потребляемая мощность, не более, кВт	60
Точность поддержания температуры	±0,1
Нижняя зона:
Температура на нагревателе, ˚С	1200
Потребляемая мощность, не более, кВт	20
Точность поддержания температуры	±0,1