Установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галия
Установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галия
Установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия (InGaAs) используются для создания высококачественных кристаллов, которые могут быть использованы в различных областях науки и техники. Эти кристаллы обладают рядом уникальных свойств, таких как высокая подвижность электронов, низкая эффективная масса и высокая теплопроводность.
Процесс выращивания монокристаллов InGaAs начинается с создания расплава, который состоит из смеси индия, галлия и мышьяка. Этот расплав затем нагревается до температуры, при которой он становится жидким, и помещается в специальную установку, которая называется ростовой камерой. Внутри ростовой камеры находится затравка - небольшой кусочек кристалла, который будет расти.
Затем затравка опускается в расплав, и начинается процесс роста кристалла. Для этого ростовая камера подвергается контролируемому охлаждению, что приводит к кристаллизации расплава на затравочном кристалле. Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будет получен кристалл нужного размера.
После выращивания кристалл извлекается из ростовой камеры и подвергается обработке, чтобы удалить примеси и улучшить его свойства. Затем кристалл может быть использован для создания различных устройств, таких как лазеры, фотодетекторы и другие приборы.
Почему мы?
ООО «НПО «ГКМП» специализируется на индивидуальной разработке и производстве установок для выращивания монокристаллов. Работаем по согласованному техническому заданию, с использованием установленных норм и требований.
Сотрудничество с ООО «НПО «ГКМП», это:
- Единичное производство «под заказ». Разрабатываем и производим оборудование по техническому заданию заказчика и соответствующее техническим нормам и требованиям.
- Широкий ассортимент продукции. Благодаря многолетнему опыту и налаженному сотрудничеству с предприятиями, мы регулярно расширяем спектр решенных задач.
- Полный спектр услуг. Мы не только производим оборудование, но и предоставляем дополнительные услуги: от пуско-наладочных работ до последующего сервисного обслуживания.
- Высокое качество. Работаем только с качественным сырьем, соблюдаем установленные технологии.
- Квалифицированный персонал. Опытные специалисты выполнят заказ любой сложности.
- Доступный ценовой сегмент. Стоимость рассчитывается в зависимости от требований, указанных в техническом задании.
В ООО «НПО «ГКМП» можно купить установку для выращивания монокристаллов, а также другие типы ростового оборудования с нестандартными габаритами рабочей зоны, с учетом спецификации заказчика.
Максимальные размеры тигля, мм: диаметр высота |
230 200 |
Способ нагрева |
резистивный |
Материал нагревателя |
графит |
Высота нагревателя, мм |
400 |
Максимальная температура,˚С на нагревателе |
1400 |
Точность регулирования температуры,˚С |
0.1 |
Среда в камере печи: предельный вакуум, мм.рт.ст. проток инертного или горячего газа, л/час |
1*10-4 10-20 |
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин |
0 - 30 |
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/ч |
0 - 0.5 |
Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин |
100 |
Скорость вращения привода штока, об/мин |
0 - 20 |
Скорость перемещения привода нижнего штока, рабочая, мм/ч |
0 - 0.5 |
Скорость перемещения привода нижнего штока, маршевая, мм/мин |
70 |
Величина перемещения привода тигля, мм |
200 |
Скорость вращения привода тигля, об/мин |
0-20 |
Температура нагревателя верхней зоны, С |
1200 |
Электрическая мощность обогревателя верхней зоны, кВт |
20 |
Точность поддержания температуры верхней зоны |
±0.1 |
Температура нагревателя средней зоны, С |
1400 |
Электрическая мощность обогревателя средней зоны, кВт |
60 |
Точность поддержания температуры средней зоны |
±0.1 |
Температура нагревателя нижней зоны, С |
1200 |
Электрическая мощность обогревателя нижней зоны, кВт |
20 |
Точность поддержания температуры нижней зоны |
±0.1 |