Si

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

ООО "НПО "ГКМП" предлагает установки для выращивания монокристалла кремния по методу Чохральского. Это один из наиболее распространенных методов выращивания монокристаллов кремния для полупроводниковой промышленности. Этот метод был разработан в 1958 году польским ученым Яном Чохральским.


Суть метода заключается в том, что расплавленный кремний поднимается по стержню из тигля и кристаллизуется на его поверхности. Таким образом, получается монокристаллический слиток кремния.


Метод Чохральского позволяет получать монокристаллы кремния высокого качества с точностью размеров до нескольких микрон. Это делает его очень востребованным в полупроводниковой промышленности для производства интегральных схем и других устройств.


Установка для выращивания кристалла кремния методом Чохральского производства ООО «НПО «ГКМП» предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов кремния диаметром до 250 мм и общей длиной до 1600 мм методом Чохральского из тигля ø 508 мм.



Почему мы?


ООО «НПО «ГКМП» специализируется на индивидуальной разработке и производстве установок выращивания кристаллов. Работаем по согласованному техническому заданию, с использованием установленных норм и требований.


Сотрудничество с ООО «НПО «ГКМП», это:


  • Единичное производство «под заказ». Разрабатываем и производим оборудование по техническому заданию заказчика и соответствующее техническим нормам и требованиям.
  • Широкий ассортимент продукции. Благодаря многолетнему опыту и налаженному сотрудничеству с предприятиями, мы регулярно расширяем спектр решенных задач.
  • Полный спектр услуг. Мы не только производим оборудование, но и предоставляем дополнительные услуги: от пуско-наладочных работ до последующего сервисного обслуживания.
  • Высокое качество. Работаем только с качественным сырьем, соблюдаем установленные технологии.
  • Квалифицированный персонал. Опытные специалисты выполнят заказ любой сложности.
  • Доступный ценовой сегмент. Стоимость рассчитывается в зависимости от требований, указанных в техническом задании.


В ООО «НПО «ГКМП» можно купить установку выращивания кристаллов, а также другие типы ростового оборудования с нестандартными габаритами рабочей зоны, с учетом спецификации заказчика.


Диаметр кристалла, мм, не более

250

Длина кристалла, мм, не более

1600

Скорость перемещения затравки, мм/мин

0.1 - 8.0

Частота вращения затравки, об/мин

1.0- 30.0

Погрешность поддержания скорости перемещения  и частоты вращения затравки, %

> ±1

Рабочий ход тигля, мм

400

Скорость перемещения тигля, мм/мин

0.01- 2.0

Частота вращения тигля, об/мин

1.0- 20.0

Диаметр тигля, мм

508

Предельное остаточное давление, мм рт.ст.

5*10-3

Максимальная скорость откачки, л/с

150

Расход охлаждающей воды, м3/ч

10

Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее

0,3

Расход аргона, л/ч, не более

3600

Рекомендуемое давление на входе в газовую систему, М

0,25

Рекомендуемое давление сжатого воздуха, МПа

0.6

Расход сжатого воздуха на процесс, м3, не более

0.1

Питание:

напряжение,В

частота, Гц

3*380+N

50

Максимальная мощность на нагревателе, кВА

150

Напряжение питания нагревателя , В

0 - 60

Габаритные размеры, мм

4000*2700*6200

Масса, кг

6000

Документы

Заказ продукции/услуги
Заказать обратный звонок
Подробно расскажем о наших товарах, видах и стоимости доставки, подготовим индивидуальное предложение для оптовых клиентов!