Si

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского

Установки для выращивания кристалла кремния методом ЧохральскогоНазначение: Предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов кремния диаметром до 250 мм общей длиной до 1600 мм методом Чохральского из тигля ø 508 мм.
Наименование параметра Значение
Диаметр кристалла, мм, не более 250
Длина кристалла, мм, не более 1600
Скорость перемещения затравки, мм/мин 0,1 - 8,0
Частота вращения затравки, об/мин 1,0- 30,0
Погрешность поддержания скорости перемещения  и частоты вращения затравки, % > ±1
Рабочий ход тигля, мм 400
Скорость перемещения тигля, мм/мин 0,01- 2,0
Частота вращения тигля, об/мин 1,0- 20,0
Диаметр тигля, мм 508
Предельное остаточное давление, мм рт.ст. 5х10-3
Максимальная скорость откачки, л/с 150
Расход охлаждающей воды, м3/ч 10
Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее 0,3
Расход аргона, л/ч, не более 3600
Рекомендуемое давление на входе в газовую систему, М 0,25
Рекомендуемое давление сжатого воздуха, МПа 0,6
Расход сжатого воздуха на процесс, м3, не более 0,1
Питание:
напряжение,В
частота, Гц
3х380+N
50
Максимальная мощность на нагревателе, кВА 150
Напряжение питания нагревателя , В 0 - 60
Габаритные размеры, мм 4000х2700х6200
Масса, кг 6000

Документы

Сертификаты Справочная информация
Сертификат Соответствия
Разрешение на использование знака соответствия интегрированной системы менеджмента
Сертификат Соответствия на Гильзы защитные
Санитарно-эпидемиологическое заключение на использование источников ионизирующего излучения
Санитарно-эпидемиологическое заключение на использование источников ионизирующего излучения стр. 2
Сертификат соотвествия ВР 05.1.13609-2019
+7 (4832) 58-19-66