1. Skip to Menu
  2. Skip to Content
  3. Skip to Footer>

Ростовое оборудование ГКМП

Установка для выращивания монокристаллов арсенида индия INAS и галия GAAS

Установка для выращивания монокристаллов арсенида индия INAS и галия GAASНазначение: Предназначена для выращивания монокристаллов арсенидов индия и галлия под давлением инертного газа с последующим отжигом выращенного кристалла.

Наименование параметра Значение
Максимальные размеры тигля, мм:
диаметр
высота
230
200
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя
графит
Высота нагревателя, мм 400
Максимальная температура,˚С на нагревателе 1400
Точность регулирования температуры,˚С 0,1
Среда в камере печи:
предельный вакуум, мм.рт.ст.
избыточное давление инертного газа, атм.
1*10-4
10 - 20
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин 0 - 30
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/мин 0 - 0,5
Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин
100
Привод перемещения тигля:

Скорость перемещения привода нижнего штока, рабочая, мм/мин

0 - 0,5
Скорость вращения привода тигля, об/мин 0 - 20

Скорость ускоренного перемещения привода нижнего штока,  мм/мин

70

Верхняя зона:

Температура нагревателя верхней зоны, ˚С 1200
Потребляемая мощность нагревателем верхней зоны, кВт 20
Точность поддержания температуры

±0,1

Средняя зона:

Температура на нагревателе, ˚С

1400

Потребляемая мощность, не более, кВт

60

Точность поддержания температуры

±0,1

Нижняя зона:

Температура на нагревателе, ˚С

1200

Потребляемая мощность, не более, кВт

20

Точность поддержания температуры

±0,1

Заказ продукции

Каталог Продукции ГКМП 2016 (ред. 2)

Каталог Электротермической продукции ГКМП 2016 (Скачать 25,8 Мб)